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这两个实验都是照射1个H使之饱和,然后观测其他的H,
我的问题是,选择性去耦实验中,被照射的H临近的H会不会发生NOE效应,
或者是一维NOE实验中,与被照射H通过2,3键相连的H会不会被去耦
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脉冲是不一样的,我也看不太懂
选择性去耦实验与一维NOE实验所用之能量不一样。
" Y6 V7 b- Q, J, P5 y
去耦实验用之能量较强,被照射的H临近的H会不会发生NOE效应->不清楚,因为已经去耦了,峰型已改变。
: h5 p0 \. b; |# j+ [$ j) I6 o: W
一维NOE实验用之能量较弱,与被照射H通过2,3键相连的H不会被去耦。
' V; o8 |' r7 G/ d3 d c+ ?
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Archiver|手机版|中国核磁共振论坛
GMT+8, 2024-11-23 22:04
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