|
1D氮谱，
4 L# G% ?0 b& |, |5 Y0 v2 l是不是：
0 p* G8 V# E- Z) e" z8 x如果样品含氢就用反转门控去耦（IGD)，去掉NOE效应的影响和H对N的耦合作用
8 @7 J5 o1 H; T8 p如果不含氢就用简单的单脉冲就可以了
: Q& u& D, r9 H" G8 Z4 V1 {
6 w' _! W2 T" \: T0 X% @N的丰度高，就不用NOE效应来增强了，不消除去耦脉冲的NOE效应反而让谱图没法积分
! a( y+ S. b& j, R, J x( h q: xC就不一样了，丰度低，除了要积分的谱图（用IGD)，一般都用宽带去耦(BB)，即保留NOE的增强作用，又去掉质子的耦合效应。
0 \6 V% v; E& {; d1 j; r0 v# J没有NOE碳谱就要采很多次了
2 b/ m. F6 a4 p2 {! v4 y 6 ~; ?2 o; R' ^$ P3 |" i
是吗？？
4 N6 D3 _$ H$ g9 e[此贴子已经被作者于2011-5-17 17:05:37编辑过] 5 k0 q H) l' ]7 ]8 B# ^. t
| 
发表于 2011-5-17 16:50:06
发表于 2011-5-17 19:07:04
