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这两个实验都是照射1个H使之饱和,然后观测其他的H,
我的问题是,选择性去耦实验中,被照射的H临近的H会不会发生NOE效应,
或者是一维NOE实验中,与被照射H通过2,3键相连的H会不会被去耦
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脉冲是不一样的,我也看不太懂
选择性去耦实验与一维NOE实验所用之能量不一样。
3 _ t0 R' R4 z
去耦实验用之能量较强,被照射的H临近的H会不会发生NOE效应->不清楚,因为已经去耦了,峰型已改变。
8 b: s4 T* r+ Z, U. a
一维NOE实验用之能量较弱,与被照射H通过2,3键相连的H不会被去耦。
9 ], V; B3 d" n' p7 {
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Archiver|手机版|中国核磁共振论坛
GMT+8, 2024-11-27 11:10
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