|
1D氮谱，
* R. s% e4 F- V a F4 S是不是：
# c3 s: M K6 M3 ^如果样品含氢就用反转门控去耦（IGD)，去掉NOE效应的影响和H对N的耦合作用
* x5 k" h$ g0 v5 Z& e( @ Q) h如果不含氢就用简单的单脉冲就可以了
) ~& l8 R" \; ?! `
) D) d8 u2 X' I" r$ x* M: kN的丰度高，就不用NOE效应来增强了，不消除去耦脉冲的NOE效应反而让谱图没法积分
) j8 x. i" a) [2 nC就不一样了，丰度低，除了要积分的谱图（用IGD)，一般都用宽带去耦(BB)，即保留NOE的增强作用，又去掉质子的耦合效应。 # G$ l. i( L' D: t5 \0 B5 l
没有NOE碳谱就要采很多次了
9 _* L0 f3 W! B1 q
, v+ G. N/ E- p9 s6 k7 l" n/ N是吗？？
7 j$ g6 |' M/ S5 u, T- R u* _[此贴子已经被作者于2011-5-17 17:05:37编辑过] 2 a& |0 P$ B8 F# e+ L6 b3 n
| 
发表于 2011-5-17 16:50:06
发表于 2011-5-17 19:07:04
